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      • Micro-Hybrid 紅外光源TO46反射鏡濾光片A2
        Micro-Hybrid 紅外光源TO46反射鏡濾光片A2

        Micro-Hybrid 紅外光源TO46反射鏡濾光片A2 用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。 MEMS紅外發射器的高性能薄膜由納米非晶碳制成,可達到高達850°C的薄膜溫度。它具有長期穩定的輻射性能。 填充氣體和濾光片的組合可優化從UV到12 µm波長范圍內的發射。 發射器的低輸入功率要求也允許其獨立和手持式應用。

        更新時間:2025-11-02訪問次數:1400
      • Micro-Hybrid 紅外光源TO46反射鏡濾光片A4
        Micro-Hybrid 紅外光源TO46反射鏡濾光片A4

        Micro-Hybrid 紅外光源TO46反射鏡濾光片A4 用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能薄膜由納米非晶碳制成,可達到高達850°C的薄膜溫度。它具有長期穩定的輻射性能。填充氣體和濾光片的組合可優化從UV到14 µm波長范圍內的發射。發射器的低輸入功率要求也允許其獨立和手持式應用。

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      • Micro-Hybrid 紅外光源TO46反射kr濾光片A2
        Micro-Hybrid 紅外光源TO46反射kr濾光片A2

        Micro-Hybrid 紅外光源TO46反射kr濾光片A2 用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能薄膜由納米非晶碳制成,可達到高達850°C的薄膜溫度。它具有長期穩定的輻射性能。填充氣體和濾光片的組合可優化從UV到12 µm波長范圍內的發射。發射器的低輸入功率要求也允許其獨立和手持式應用。

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      • Micro-Hybrid 紅外光源TO46反射kr濾光片A4
        Micro-Hybrid 紅外光源TO46反射kr濾光片A4

        Micro-Hybrid 紅外光源TO46反射kr濾光片A4 用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能薄膜由納米非晶碳制成,可達到高達850°C的薄膜溫度。它具有長期穩定的輻射性能。填充氣體和濾光片的組合可優化從UV到14 µm波長范圍內的發射。發射器的低輸入功率要求也允許其獨立和手持式應用。

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      • Micro-Hybrid 紅外光源TO46帶反射鏡開放式
        Micro-Hybrid 紅外光源TO46帶反射鏡開放式

        Micro-Hybrid 紅外光源TO46帶反射鏡開放式 用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能薄膜由納米非晶碳制成,可達到高達850°C的薄膜溫度。它具有長期穩定的輻射性能。發射器的低輸入功率要求也允許其獨立和手持式應用。包裝變型帽適合測量2厘米起的距離。可以與MTS熱電堆傳感器一起使用。

        更新時間:2025-11-02訪問次數:1407
      • Micro-Hybrid 紅外輻射源350-4
        Micro-Hybrid 紅外輻射源350-4

        Micro-Hybrid 紅外輻射源350-4 用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能薄膜由納米非晶碳組成,其薄膜溫度高達850°C。它可以實現長期穩定的高輻射輸出。光學濾光片可優化從UV到15.5 µm波長范圍內的發射。封裝形式的SMD可在應用中實現自動PLick和Plack月份,特別適合于大批量生產。

        更新時間:2025-11-02訪問次數:1487
      • Micro-Hybrid 紅外輻射源350-5
        Micro-Hybrid 紅外輻射源350-5

        Micro-Hybrid 紅外輻射源350-5 用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能膜由納米非晶碳組成,其膜溫度高達850°C。它可以實現長期穩定的高輻射輸出。填充氣體和SiARC濾光片的組合可優化從UV到15.5 µm波長范圍內的發射。發射器所需的低輸入功率還支持獨立和手持式應用。

        更新時間:2025-11-02訪問次數:1305
      • Micro-Hybrid 紅外輻射源TO39芯片在接頭上
        Micro-Hybrid 紅外輻射源TO39芯片在接頭上

        Micro-Hybrid 紅外輻射源TO39芯片在接頭上 用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能薄膜由納米非晶碳組成,其薄膜溫度高達850°C。它可以實現長期穩定的高輻射輸出。作為芯片上的接頭,IR發射器可以在TO封裝上進行單獨處理。

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