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      單模光纖

      簡要描述:單模光纖:高NAS光纖具有優異的抗彎曲損耗的堅固性,并且由于其改進的光敏性而無需氫化,因此也常用于FBG刻寫。UV-Vis光纖具有純二氧化硅纖芯,以提高對日曬作用的抵抗力,在550nm以上工作的光纖具有Ge摻雜的纖芯。單模純硅芯光纖也可在NIR中工作,并在“惡劣環境"部分中列出。包層直徑為Ø80µm的光纖可減少占用空間,同時提高彎曲時的機械可靠性。纖維可以涂上標準的高溫丙烯酸酯或聚酰亞胺。

      • 產品品牌:其他品牌
      • 廠商性質:經銷商
      • 更新時間:2025-11-03
      • 訪  問  量:24

      詳細介紹

      品牌其他品牌應用領域綜合

      單模光纖 

      用于惡劣環境的緩沖涂層

      單模光纖我們提供工作波長在375 nm和1650 nm之間的單模光纖,NA在0.12和0.37之間。高NAS光纖具有優異的抗彎曲損耗的堅固性,并且由于其改進的光敏性而無需氫化,因此也常用于FBG刻寫。

      UV-Vis光纖具有純二氧化硅纖芯,以提高對日曬作用的抵抗力,在550nm以上工作的光纖具有Ge摻雜的纖芯。單模純硅芯光纖也可在NIR中工作,并在“惡劣環境"部分中列出。

      包層直徑為?80µm的光纖可減少占用空間,同時提高彎曲時的機械可靠性。纖維可以涂上標準的高溫丙烯酸酯或聚酰亞胺。

      關鍵特征

      l375至1650納米操作

      l純二氧化硅芯(UV/VIS)或摻鍺(VIS/NIR)

      l?125µm、?80µm或定制包層直徑

      l丙烯酸酯、高溫丙烯酸酯或聚酰亞胺涂料

      應用覆蓋

      lPigtailing

      l傳感(DAS、DTS、DSS)

      l光纖光柵刻字

      l生物醫學

      主要規格

      產品名稱

      規格

      IXF-SM-375-125-010

      UV-Vis operation

      Solarization   resistant, pure silica core

      0.10 core NA

      IXF-SM-780-125-014

      780 nm operation

      0.14 core NA

      IXF-SM-1550-60-019

      1550 nm operation

      60 µm cladding diameter

      0.19 Core NA

      IXF-SM-1550-80-016

      1550 nm operation

      80 µm cladding diameter

      0.16 Core NA

      IXF-SM-1550-80-019

      1550 nm operation

      60 µm cladding diameter

      0.19 Core NA

      IXF-SM-1550-80-022

      1550 nm operation

      80 µm cladding diameter

      0.22 core NA

      IXF-SM-1550-125-012-PI

      Low radiation level

      Polyimide coating

      IXF-SM-1550-125-014-PI

      Low radiation level

      Polyimide coating

      IXF-SM-1550-80-019-PI

      Low radiation level

      Polyimide coating

      IXF-SM-1550-80-024-PI

      Low radiation level

      Polyimide coating

      IXF-SM-1550-125-028-PI

      Low radiation level

      Polyimide coating

      IXF-SM-1550-125-014-HT

      Low radiation level

      Polyimide coating

      IXF-PHO-CMS

      Cladding Mode Shifted

      Up to 9 nm,   <0.25 dB splice loss

      IXF-PHO-CMSP

      Cladding Mode Shifted

      Up to 9 nm,   <0.25 dB splice loss

       


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